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  • GaN hat großes Potenzial
    GaN hat großes Potenzial
    Da die Nachfrage nach Bandbreite weiter steigt und das vorhandene...
    2023-04-19
  • Vorteile des Austauschs herkömmlicher MOSFETs und IGBTs durch Siliziumkarbid SIC MOSFETs
    Vorteile des Austauschs herkömmlicher MOSFETs und IGBTs dur...
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    2023-04-18
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    Autounternehmen führen die Lokalisierung von SiC...
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    2023-04-18
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    Wenn es um Siliziumkarbid (SiC) geht, sind die ersten Reaktione...
    2023-04-17
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    Neuer Durchbruch im nationalen SiC
    Vor kurzem gab es zwei aufeinanderfolgende technologische Durchbrü...
    2023-04-17
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  • Branchenkenner sagen, Bidens Chipfinanzierungsbedingungen sind herzzerreißend
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    2023-04-14
  • Galliumnitrid Progress Runout Beschleunigung
    Galliumnitrid Progress Runout Beschleunigung...
    Laut dem Forschungsbericht "Galliumnitrid kann in höheren Leist...
    2023-04-14
  • Ab der dritten Generation von Halbleitern
    Ab der dritten Generation von Halbleitern...
    Da die dritte Generation von Halbleitern in den "14th Five Year...
    2023-04-14
  • Vorteile und Anwendungen von SiP Packaging
    Vorteile und Anwendungen von SiP Packaging...
    SiP-Verpackungen beziehen sich auf die Integration mehrerer vers...
    2023-04-13
  • Das internationale SiC/GaN-Branchenmuster könnte seine Gründung beschleunigen
    Das internationale SiC/GaN-Branchenmuster könnte seine Gründung...
    In Leistungshalbleitern sind GaN und SiC überlegene Material...
    2023-04-13
  • Wolfspeed und North Carolina A&M State University planen die Gründung einer gemeinsamen Forschungs- und Entwicklungseinrichtung zur weiteren Förderung von Siliziumkarbid-Innovationen
    Wolfspeed und North Carolina A&M State University planen die Grü...
    Wolfspeed, ein weltweit führender Anbieter von Siliziumkarbid-T...
    2023-04-12
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