Der deutsche Chip-Gigant Infineon gab am zweiten März seine Übernahme des GaN-Leistungshalbleiterherstellers GaN Systems für 830 Millionen Dollar bekannt.
Anschließend äußerte Infineon in einem Medienkommunikationstreffen seinen Optimismus über die Entwicklung des Galliumnitridmarktes, insbesondere bis 2030. Die globale Verwendung von Galliumnitrid wird die von Siliziumkarbid weit übersteigen und wird die Anwendung von Siliziumkarbid in mehreren Bereichen ersetzen. Daraus ergibt sich, dass der aktuelle Galliumnitridmarkt nur ein 0-1-Prozess ist und in Zukunft weiter wachsen wird, was die Erwartungen der Branche wert ist.
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Vor kurzem gab Power Integrations (PI) bekannt, dass das Unternehmen 900V PowiGaN Galliumnitrid (GaN)-Produkte für den Einsatz in den Bereichen Automotive, Industrie und Haushaltsgeräte veröffentlichen wird.
Es ist bekannt, dass PI bereits 750V Galliumnitrid-Geräte auf den Markt gebracht hat. Um den wachsenden Strombedarf von Elektrogeräten zu decken, wurde ein neues 900V Galliumnitrid-Gerät veröffentlicht, das auch darauf hinweist, dass die Leistung und der Anwendungsbereich von Galliumnitrid weiter verbessert wurden.
Das Geschäft von InnoSecco wuchs im 2022 um 300% gegenüber dem Vorjahr, die Wachstumsdynamik im Q1 2023 war noch schneller
Vor kurzem konzentrierte sich die zweite Reihe von Finanz- und Wirtschaftsprogrammen von CCTV erneut auf die Dynamik des Marktes für Unterhaltungselektronik und führte die Anwendung und Popularisierung von Galliumnitridmaterialien ein. Als Vertreter der Galliumnitridindustrie erklärte InnoSecco auch in einem Interview mit CCTV Zhengdian Finance, dass Galliumnitridmaterialien mit zunehmender Technologiereife und weiter sinkenden Kosten zur "Star-Technologie" für elektronische Verbraucher-Ladegeräte geworden sind und die Popularität des Schnellladens auch die rasante Entwicklung der Galliumnitridindustrie angetrieben hat..http://www.ic-bom.com/
Im ersten Quartal von 2023 übertraf das Versandvolumen auch 50-Millionen-Stücke, wobei der Umsatz 150-Millionen-Umsatz betrug, viermal der gleiche Zeitraum im vergangenen Jahr. Gleichzeitig wurde die InnoSecco 40V/100V/150V Niederspannungsplattform, basierend auf den Vorteilen der gesamten Industriekette auf Siliziumbasis, umfassend aufgerüstet. Mehrere Produktserien wie 40V bidirektionale Leitungsprodukte und 100V Halbbrückenantriebsdichtungsprodukte wurden veröffentlicht, die ausreichende Vorbereitungen für ihre Expansion in Bereichen wie Automobile, Rechenzentren, Industrie und neue Energiequellen treffen.
Galliumnitrid-Verbraucheranwendungen decken mehr Szenarien ab und treiben Innovationen in der Industrie voran
Laut Yoles Prognose wird die Marktgröße von Galliumnitrid im Verbrauchersektor $964,7 Millionen in 2027 erreichen, mit einer zusammengesetzten jährlichen Wachstumsrate von 52%, und die Verbraucherindustrie wird 48% der gesamten Industrie ausmachen. Der Verbrauchersektor, der durch Schnellladung repräsentiert wird, bleibt die treibende Kraft für die Anwendung von Galliumnitrid.
Marktdaten zufolge konzentriert sich der Markt, der das rasante Wachstum von Galliumnitrid unterstützt, auf den Konsumsektor, wie Mobiltelefone, Laptops und Elektrofahrzeug-Schnellladungen. Es wird berichtet, dass InnoSecco derzeit mit führenden Mobiltelefonmarken wie OPPO, vivo, Xiaomi, Lenovo, Honor und Motorola zusammengearbeitet hat und Galliumnitrid-Ladegeräte schrittweise als Standard-Ladegeräte für Mobiltelefone mit hoher Benutzerakzeptanz auf den Markt eingeführt hat.http://www.ic-bom.com/
Verbraucher-E-Commerce-Plattformen wie Anke, Beisi, Lvlian und Nubia haben auch Schnellladeprodukte auf den Markt gebracht, die InnoSecco Galliumnitrid-Chips verwenden, einschließlich der AllGaN-Technologie aller Galliumnitrid-Schnellladeprodukte, die Anke in Zusammenarbeit mit InnoSecco und Nanxin veröffentlicht hat, die schnell zum Trend geworden sind. Gleichzeitig hat die Galliumnitrid-Schnelllademarke, die von elektrischen Zweirädern-Fahrzeugherstellern wie Yadi und Tailing ausgestattet ist, ebenfalls schnell in der Menge zugenommen; In 2022 führten OPPO und InnoSecco den 40V Galliumnitrid-Chip von InnoSecco erstmals in die interne Hauptplatine von Mobiltelefonen ein und erzielten damit einen Durchbruch bei der "Null"-Anwendung von Galliumnitrid in Mobiltelefonen.
Anwendungen wie Rechenzentren, Automobile und neue Energie treiben weitere Verbesserungen der Galliumnitrid-Leistung voran
Neben dem riesigen Markt für Unterhaltungselektronik haben Rechenzentren, Automobilelektronik und neue Energiefelder einen Nachfragetrends nach Galliumnitrid-bezogenen Geräten gebildet, die durch neue Technologien wie KI, Kommunikation, autonomes Fahren und Energiespeicherung angetrieben werden.Institutionelle Analysen zeigen, dass Infineons Übernahme von GaN Systems die zukünftigen Entwicklungsperspektiven von GaN in Automobil-, Rechenzentrums-, Industrie- und anderen Anwendungsbereichen widerspiegelt. Es ist bekannt, dass führende inländische Automobilunternehmen die Führung bei der Verwendung von InnoSecco Galliumnitrid in Automobil-LiDAR-Produkten übernommen und eine Massenproduktion erreicht haben.
Rechenzentren strömen seit langem zu Galliumnitrid. Da PUE allmählich ein obligatorischer Indikator für den Bau neuer Rechenzentren und die Renovierung alter Rechenzentren wird, erreichen Galliumnitrid-basierte Servernetzteile nicht nur eine höhere Leistungsdichte, sondern auch eine einfachere Energieeffizienz auf Titanniveau.
Auf der anderen Seite steht, wie das 48V-Automobilsystem, auch die Architektur der Rechenzentrumsnetzwerke vor einer Transformation. Für Cloud-Dienstleister wird der Volumenvorteil von 48V DC/DC-Wandlern die Kosten weiter senken und die Effizienz für Rechenzentren erhöhen.
Auf der Messe im März dieses Jahres gab InnoSecco eine umfassende Einführung in die Full-Link-Galliumnitrid-Rechenzentrumslösung und stellte einen kompletten Satz von Lösungen vor, die unter Verwendung von InnoGaN entwickelt wurden, einschließlich 2KW-Netzteile in Titanqualität, 48V-12V 600W/1000W Strommodule usw. Es wurde vorgestellt, dass die Volllink-Galliumnitrid-Lösung dazu beitragen kann, 50% der Verluste im Rechenzentrumsversorgungssystem zu reduzieren.
Mit der kontinuierlichen Verbesserung und Iteration der Galliumnitridtechnologie werden Galliumnitridprodukte verschiedener Hersteller allmählich häufiger, und die Anwendungsanforderungen in neuen Märkten und Bereichen stellen auch höhere Anforderungen an die Leistung, Produktionskapazität und Kosten von Galliumnitrid. Galliumnitrid-IDM-Unternehmen, die durch Infineon, InnoSecco und Anshi Semiconductor vertreten werden, könnten die Hauptlieferanten werden. Aber Infineon, Anser Semiconductor und andere bleiben immer noch im 6-Zoll-Maßstab.
InnoSecco ist der einzige 8-Zoll-Silizium-basierte Galliumnitrid-IDM-Hersteller der Welt, mit einer aktuellen Produktionskapazität von 10000Stücken pro Monat. Im Gegensatz dazu haben seine Produkte offensichtlichere Vorteile in der Skalenproduktion und Kosteneffizienz, indem sie Design, Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb integrieren und können auch eine schnelle Produkteiteration erreichen, was den Bau des Galliumnitrid-Industrie-Ökosystems beschleunigt.
CCTV-Bericht: Galliumnitrid neues Material hilft schneller Aufladung zu popularisieren
Am 23.März konzentrierte sich das On Time Finance-Programm von CCTV erneut auf die Dynamik des Marktes für Unterhaltungselektronik und interviewte Xiaomi Communication Technology Co., Ltd., InnoSecco (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd. und China Academy of Information and Communications Technology, eine Mitgliedseinheit der Terminal Fast Charging Industry Association, um die Anwendung und Popularisierung von Galliumnitridmaterial vorzustellen, einer Kerntechnologie für das Schnellladen von Mobiltelefonen in China.http://www.ic-bom.com/
Xiaomi-Ingenieur Wang Yanteng erklärte, dass der Anteil der Schnellladeprodukte in allen Xiaomi-Produkten auf 30% -40% gestiegen ist, wobei die meisten Hochleistungs-Schnellladeprodukte mit Galliumnitrid-Technologie verwendet werden. Die derzeit entwickelte Xiaomi 300W Galliumnitrid-Schnellladelösung hat die gleiche Lautstärke wie das freigegebene 210W-Ladegerät.
Gegenwärtig sind Galliumnitridmaterialien der Schlüssel zur technologischen Entwicklung der Schnellladeindustrie geworden, und die Popularisierung der Schnellladung hat auch die schnelle Entwicklung der Galliumnitridindustrie angetrieben. In einem Interview erwähnte InnoSecco (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd., dass es offensichtlich ist, dass es eine steigende Nachfrage nach Galliumnitridmaterialien auf dem Markt gibt.
Mehrere namhafte Unternehmen treten auf Fachmessen im In- und Ausland auf: APEC, ACE
Fast zeitgleich fanden im März dieses Jahres die International Power Electronics Application Exhibition (APEC) und die Charging Expo Asia (ACE) statt. Unternehmen und Organisationen aus der ganzen Welt werden vor Ort neue Produkte und Technologien der Leistungselektronik präsentieren und so hohe Aufmerksamkeit aus der Branche ziehen.
Zusammenfassung
Anfang 2023 gab es einen Sprint und Galliumnitrid beschleunigte. Galliumnitrid-Geräte sind in beispiellosen Produktformen entstanden, und diese neuen Geräte werden vollständig in mehrere Anwendungsverbindungen integriert werden, wie Haushaltsgeräte, Industrie, Rechenzentren, neue Energieerzeugung, Energiespeicher und Automobile. Wir glauben, dass schöne Dinge passieren werden.http://www.ic-bom.com/