高压充电发展，sic器件需求大增势

现在以800V为主的大功率充电技术，被车企广泛宣传，在新的 800V 架构中，电驱动技术的关键是使用“第三代”SiC/GaN 半导体器件。以SiC/GaN为核心的800V高压系统将迎来汽车电驱动系统、电子控制系统、车载充电桩、车载充电器、DC-DC等领域的大规模发展期。SiC器件“缺货”问题仍然存在，碳化硅产能大战也在进行。

新能源车企在不断发展，期间需要确保供应链的稳定性，所以与之相关的SiC供应商也需要具有稳定的供应关系。然而新能源汽车发展总趋势是在增长，但是市场增速却是有所放缓的，此时不由得联想到，曾消化了全球SiC市场大部分产能的特斯拉放言“下一代汽车平台将减少75%的碳化硅用量”，这样的话，我们再回顾看看之前很大一部分SiC供应商纷纷扩厂增产，以及近段时间SiC供应商的频繁签订长期合作协议，最后的SiC产能结果会是如何，相信也会让人浮想联翩。http://www.ic-bom.com/

但SiC产能的扩增，是由市场的供需所导致的。整个SiC和新能源汽车产业都未有停下脚步的迹象，前不久的上海车展上SiC仍旧席卷全场，车企与Tier1的开发计划频出，市场前景仍然非常乐观。

碳化硅产业链还存在供需失衡的情况。以新能源汽车领域的需求为例进行推算。在需求方面，调研机构Strategy Analytics预计到2025年全球新能源汽车销量将达到2240万辆，假设每一辆新能源汽车都用上了碳化硅器件，在保守的情况下，高压平台的碳化硅需求量会在219万片，中高压平台则会到437万片。在供给方面，据三安光电以及市场调研机构的数据预测，预计2025年全球碳化硅衬底总共是282万片，其中中国达到89万片，中国以外的地区是193万片。整体来看，产能缺口将达到400万片以上。http://www.ic-bom.com/

超充快充发展助力sic成主流

如今800V+SiC的产品组合变得越来越流行起来，包括小鹏、广汽埃安、极氪、理想等车企都纷纷布局了800V高压大功率快充技术。但是在大功率超充的到来，其中的零部件就难免面临改革升级。

现在标配800V高压充电的新能源汽车成为市场主流。我们了解的有：小鹏发布了G9配备800V超充，充电5分钟就可以跑200KM；极狐阿尔法S全新HI版拥有800V高压量产车平台，充电功率高达187kW，10分钟即可补充近200km的续航里程，电量从30%充到80%仅需15分钟。比亚迪、极氪、东风岚图、广汽埃安、长安、长城、理想汽车等等，很多车企都相继发布800V平台架构或规划。http://www.ic-bom.com/

在800V的高压环境下，对其中的功率半导体的耐压、损耗、抗高温性能非常苛刻。而SiC基功率半导体相比Si基具备更高耐压等级和开关损耗，是800V趋势下最受益的部件。意法半导体抓住这一点在大功率SiC模块上不断进行研究，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，给新能源汽车的高压快充发展带来了不小的帮助。

总结

高压快充和sic产业两者相辅相成，各行各业朝前发展都是互利共赢，这样行业才能得以可持续发展，各路创新，共同助力，未雨绸缪，不断进步。http://www.ic-bom.com/