新能源汽车市场火爆，使得SiC电控的发展进程提前了2年左右，然而这对车规级SiC MOSFET产能稳定供应提出了新的考验。http://www.ic-bom.com/

从衬底到器件，传统硅器件的整体良率可高达99%，而SiC行业的最高水平约为65%左右，SiC行业的良率瓶颈主要集中在SiC单晶环节。

SiC单晶生长环节中，主要存在2个良率差异现象：一是企业之间的良率差异非常大，领先型企业的良率可以高达50%-60%，而一些新进入者的良率水平在0-30%之间，这也是为何国内SiC单晶项目多、产量少的关键所在；其次是单个企业不同批次的晶体良率存在一定的波动，设备调试等方面非常耗费人力物力，因此导致SiC单晶产能难以迅速扩大。

尤其是车规级SiC器件需要低缺陷密度和低杂质的高质量SiC衬底，这对SiC单晶生长工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。

恒普科技说，SiC晶体缺陷的控制，除了理论和工程的提高外，还需要更先进的热场材料作为支撑。这是因为长晶炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加，从而导致后期“长快、长厚、长大”的挑战更大。

而生长车规级的SiC单晶需要使用先进的热场材料。

SiC晶体的主流生长工艺是PVT法，通常在2000℃的高温下，将石墨坩埚中的SiC源粉末进行升华结晶。然而，在这个过程中，热场材料容易出现3个问题：

● SiC蒸气中的Si会强烈地攻击石墨，并释放出碳颗粒和金属/氮杂质，这些杂质会融入到生长的SiC晶体中，从而引发晶体缺陷问题。http://www.ic-bom.com/

● 热场中的石墨、多孔石墨、碳化钽粉等坩埚材料容易出现使用不当，从而带来碳包裹物增多等缺陷。

● 另外在有些应用场合，多孔石墨的透气率不够，需要额外开孔来增加透气率。但是透气率大的多孔石墨，又面临着加工、掉粉、蚀刻等挑战。针对行业痛点，最近，恒普科技推出了全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽，实现了全球首发。http://www.ic-bom.com/

由于碳化钽的强度和硬度都很高，因此要将碳化钽加工成多孔状，挑战难度非常大。而要制造出孔隙率大、纯度高的多孔碳化钽更是极具挑战。

据介绍，恒普科技通过自主技术研发，突破性地推出大孔隙率的多孔碳化钽，其孔隙率最大可以做到75%，实现了国际领先。在碳化硅长晶应用方面，恒普科技的多孔碳化钽可用于气相组元过滤、调整局部温度梯度、引导物质流方向以及控制泄露等方面，更好地协助SiC企业去优化晶体良率。

同时，这款多孔碳化钽还可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层相结合，形成局部不同流导的构件，有利于进一步提升SiC晶体良率。http://www.ic-bom.com/

由于碳化钽具有高热稳定性、高纯度和高耐化学性，可以免受腐蚀环境的影响，因此部分多孔碳化钽构件可以实现重复使用，大大降低耗材的使用成本。

这款多孔碳化钽的技术特性如下：

● 孔隙率  ≤75%         国际领先

● 形状：片状、筒状       国际领先

● 孔隙度均匀

SiC晶体的良率提升和稳定，有助于降低SiC器件的器件成本，其稳定供应有助于加快SiC器件打入新能源汽车、光储充等领域的市场。SiC晶体亟需多方借鉴和采用前沿先进技术，用最短的时间提升晶体良率，并实现大规模生产，恒普科技的多孔碳化钽技术有助于帮助企业以更快的速度完成高良率的生产目标。http://www.ic-bom.com/