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SiC衬底发力了!就在刚刚!英飞凌宣布,他们与天科合达和天岳先进2家SiC衬底厂商签订了SiC衬底和晶锭的多年合作协议。
这是继博世后,又一家国际SiC器件厂商公开宣布采用中国厂商的SiC衬底,这是国产SiC的里程碑事件,一方面体现了国产SiC龙头企业的技术备受认可,另一方面表明车规级SiC需求的强劲。http://www.ic-bom.com/
5月3日,英飞凌与天科合达和天岳先进签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。
这次公告透露3个要点:
天科合达和天岳先进主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底,同时还将提供8吋碳化硅材料,助力英飞凌向8吋SiC晶圆的过渡。
与其他厂商不同,英飞凌的协议还包括碳化硅晶锭,这是因为他们曾投资近10亿元,收购了一家激光冷剥离企业,未来将通过自主的激光技术提升碳化硅衬底的利用率,提升器件的成本竞争力。
2家企业的供应量均将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。http://www.ic-bom.com/
英飞凌表示,这次与2家中国SiC衬底厂商合作是为了推动其SiC供应商体系多元化,从而向全球3600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。
根据2月2日,英飞凌发布其2023 财年第一季度财报,他们该季度又获得了现代汽车数亿欧元(triple digit million euro,超7亿人民币)的SiC器件订单,在过去4个月,英飞凌获得了30亿欧元(约222.6亿人民币)的碳化硅设计定点。
为此,英飞凌表示,与天科合达和天岳先进签约,将有助于保证整个供应链的稳定,同时满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求,并将推动新兴半导体材料的快速发展。http://www.ic-bom.com/