GaN单晶衬底以2-4英寸为主，4英寸已实现商用，6英寸样本正开发。GaN单晶衬底的主要制备方法有氢化物气相外延法（HVPE）、氨热法和助熔剂法。http://www.ic-bom.com/

HVPE 方法生长速率快，易得到大尺寸晶体，是目前商业上提供GaN单晶衬底的主要方法，其缺点是成本高、晶体位错密度高、曲率半径小，且会造成环境污染。

氨热法生长技术结晶质量高，可以在多个籽晶上生长，易规模化生产，可以显著降低成本，缺点是生长压力较高，生长速率低。http://www.ic-bom.com/

助熔剂法生长条件相对温和，对生长装备要求低，可以生长出大尺寸的GaN单晶，缺点是易于自发成核形成多晶，难以生长出较厚的GaN晶体。

利用各种生长方法优势互补解决单一生长方法存在的问题是解决GaN单晶晶体质量、成本和规模量产的有效途径。2021年，三菱化学宣布采用低压酸性氨热法（LPAAT）开发出4英寸GaN单晶衬底，且晶体缺陷仅为普通GaN衬底的1/00-1/1000。三菱化学于2022年推出4英寸GaN单晶衬底。

开发生长尺寸更大、良率更高的GaN晶体制备方法将是GaN器件降本增效的关键，是能否在诸多下游应用领域渗透放量的关键。http://www.ic-bom.com/

目前，GaN材料主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。另外，还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不过这两种衬底的应用市场很有限。

目前，GaN材料主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。另外，还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不过这两种衬底的应用市场很有限。

由于GaN的熔点很高，且饱和蒸汽压较高，在自然界无法以单晶形式存在，必须采用外延法进行制备。MOCVD（金属有机物气相沉积法），MBE（分子束外延法），HVPE（氢化物气相外延法）等是比较传统的 GaN外延片制备方法。

从GaN产业链各环节来看，欧美日企业发展较早，技术积累、专利申请数量、规模制造能力等方面均处于绝对优势。中国在自主替代大趋势下，目前在产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得一定进步。http://www.ic-bom.com/

全球范围内，无论是上游的衬底和外延片，还是中下游的芯片设计、制造，GaN产业链大都被美日欧的龙头企业把持着，如日本住友、罗姆，美国的Wolfspeed（Cree改名后的）、II-VI，德国英飞凌，韩国LG、三星等。

在中国大陆地区，GaN产业还处于起步阶段。本土IDM代表企业有三安光电、英诺赛科、士兰微电子、苏州能讯、江苏能华、大连芯冠科技等，Fabless企业主要有华为海思、安谱隆等，同时，海威华芯和三安集成可提供GaN芯片晶圆代工服务。

在衬底材料方面，天岳先进、三安光电、天科合达、英诺赛科等中国本土企业在全球范围内的合计市占率比较低，在10%左右，三安光电，英诺赛科等厂商在重点研发基站用GaN-on-Si射频和功率芯片（包括Sub-6GHz和毫米波两大频段）。外延片方面，代表企业包括苏州晶湛、聚能晶源和聚灿光电。GaN射频HEMT相关专利方面，中国的海威华芯、三安集成和华进创威等开始涉足，争取在国际大厂把持的GaN专利领域分得一杯羹。http://www.ic-bom.com/