EPC推出了两款新型抗辐射GaN FET。EPC7020 是一款 200 V、11 mΩ、170 APulsed 抗辐射GaN FET，采用 12 mm² 封装。EPC7003是一款100 V、30 mΩ、42 APulsed抗辐射GaN FET，采用 1.87 mm² 封装。

两种器件的总剂量辐射额定值均大于 1000K Rad（Si），对83.7 MeV/mg/cm² 的LET和VDS 高达 100% 的额定击穿具有SEE的抗扰度。这些新器件以及抗辐射系列的其他产品EPC7019、EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007都采用芯片级封装，与商用eGaN FET和IC系列相同。封装版本将由EPC Space提供。

受益于这些器件的性能和快速部署的应用包括DC-DC电源转换器、电机驱动器、激光雷达、深层探测器和太空应用的离子推进器、卫星（包括用于LEO和GEO轨道的卫星）以及航空电子器件。

EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“抗辐射产品系列的电压范围从40 V到200 V，电流范围从4 A至530 A，涵盖了恶劣环境中的各种应用，例如太空，包括行星际科学任务、高空飞行和其他高可靠性军事应用。