五十五所与红旗的组合确实让行业对国产芯片开始侧目，但从实际情况出发，国产
芯片上主驱，可能仍需要一段时间。
1、芯片制造的瓶颈
虽然业内人士都知道SiC功率器件制造工艺与Si基功率器件制造工艺差异不是很大。但是SiC功率器件的良率却远低于Si基功率器件，这里主要有以下几个原因：
①与衬底、外延的质量有关；
②SiC的掺杂只能通过离子注入机注入高能粒子，这个过程会破坏晶格结构，因此需要高温退火进行恢复，但是SiC的退火温度在1600℃左右，这么高的温度既要保证晶圆上的器件结构不被破坏，还要达到高的离子激活率和准确的P型区域是非常难的；
③MOSFET是通过是否给栅极加电压实现对源极和漏极是否导通的控制，那么栅氧层的质量就尤为关键，栅极氧化层出现缺陷会影响沟道迁移率导致MOSFET阈值漂移，进而导致漏电增加。
2、一定的车规认证周期
目前，碳化硅产品上车和IGBT的流程类似，都是先做 bench test（系统级测试），再做 DV、PV 测试，以及冬测、夏测，之后做上车测试，市场上并没有特别针对 SiC 的测试，也没有特别针对外延和衬底的认证，只要模组过了 AQG324、芯片过了AEC-Q101 等就认为风险可控。国内虽有不少企业通过了车规认证，但对车本身而言，真正的认证只有量产认证。
那碳化硅产品上车，大概需要多久呢？以 ET7 为例，从 2020 年 6 月立项开始做，到 2022 年 Q1 SOP，大约需要 1.5-2 年。DV、PV 测试都是 3-6 个月，前期设计约 3 个月，上车后冬测、夏测约 3-6 个月，期间有一些重叠，最后爬产、产线升级整理和供应商备货总共需要 0.5-1 年，因此真正量产上车需要经历 1.5-2 年的研发周期。目前五十五所的该款产品，仍在A样阶段，后续还需要经历较长的验证周期后，才能真正实现量产。
好的开端
即使如上文所说量产仍需一定时间，我们还是要为五十五所与红旗的合作碰撞感到欣慰，这意味着中国制造芯片具备了主驱应用的技术能力，离真正量产仅有一步之遥。
据调研，五十五所的衬底采用的是天科合达、天岳、烁科生产的中国制造衬底。这意味着，中国制造衬底的头部企业也具备了主驱应用的技术水平，即使中国制造碳化硅的技术迭代与良率提升仍较为缓慢，但这则新闻无疑是给中国制造碳化硅产业链发展注入了强心针。让我们看到了中国制造替代的巨大市场机会。
未来随着新能源汽车碳化硅车型的推出放量，汽车“缺芯”难题有望能够得到缓解，汽车电子产业链供应链安全能够得以保障，这也是五十五所一直以来的初衷和坚持实现的使命。
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