前段时间，一汽红旗宣布今年他们将有2款SiC车型上市（.点这里.），昨天，他们又公布了在碳化硅领域的新突破：

● 完成主驱碳化硅模块试制，采用2in1塑封，寄生电感≤6.5nH，输出电流达550A；

● 采用全国产1200V SiC MOSFET，比导通电阻3.15mΩ·cm²，导通电流达120A。

那么，一汽红旗采用的是哪家国产SiC MOSFET？未来有哪些上车规划？

4月3日，“红旗研发新视界”官微发文称，他们完成了首款全国产电驱用1200V塑封2in1碳化硅功率模块A样件。

据红旗公司介绍，这款主驱碳化硅模块采用了国产SiC MOSFET，通过应用高密度高可靠元胞结构、芯片电流增强技术、高可靠碳化硅栅氧制备工艺、精细结构加工工艺等，该芯片的比导通电阻达到3.15mΩ·cm²，导通电流达到120A，技术指标达到国际先进水平。

碳化硅模块方面，红旗表示，他们采用了行业领先的三端子母排叠层结构、高可靠铜线互联技术与高散热椭圆PinFin散热水道，并且配合大尺寸环氧树脂转模塑封与高耐温银烧结芯片贴装工艺，使得模块的寄生电感≤6.5nH，模块持续工作结温175℃，输出电流有效值达到550A。

电驱方面，红旗汽车自主研发了国际领先的红旗HSM高效电驱系统，该系统独创的超轻高磁密碳纤维转子、超高频高功率SiC模块、主被动噪音抑制等技术，实现引领全球的95.5%系统效率和“零”感知噪音。

据“行家说三代半”了解，一汽红旗2023年将有2款SiC车型上市，分别为轿车E001、SUV E202。

一汽红旗表示，国内电驱用碳化硅功率半导体仍然掌握在少数国外企业手中，为实现碳化硅技术“黑转白”，他们以央企合作的模式，围绕新结构、新工艺、新材料方面开展自主技术攻关，真正实现了衬底、外延、芯片、封装与模块试制等关键环节全流程国产化，实现了自主可控。

据一汽红旗介绍，他们的碳化硅模块是由红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部以及CETC联合开发。

实际上，中电科集团曾于3月21日在官网上提到，他们的科研人员正在对照新能源汽车龙头企业提出的电驱用大电流碳化硅MOSFET芯片需求，进行高电流密度碳化硅器件设计、高稳定性晶圆生产控制等关键技术攻关。

除了主驱外，在此之前，CETC所碳化硅MOSFET已经被其他国内车企所采用，据悉目前的产品装车量达百万台。

今年3月，中国电科首席专家柏松在接受新华日报采访时表示，他们已经在碳化硅领域建立完善了具有自主知识产权的碳化硅JBS二极管、MOSFET等芯片工艺，形成了650V-6500V系列产品。而且，他们团队于2022年成功推出第二代碳化硅MOSFET产品，与第一代产品相比，芯片面积减少30%，导通损耗降低15%，电能转换效率显著提。

值得注意的是，5月25日，CETC所将参加在上海举行的“汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会”，并将在会上带来他们精彩的演讲，了解更多CETC的碳化硅技术和进展，请抓紧时间扫码报名参会。