国产SiC器件厂商通过加大研发投入和技术创新，不断提升产品的质量和性能，也取得了不俗的成绩，在一些指标上已经可以与大厂进行PK。http://www.ic-bom.com/

在SiC器件领域，根据Yole 2022年的数据，STMicroelectronics（ST）占据了全球37%的市场份额，成为市场的领导者。其次是英飞凌（Infineon）占据19%的份额，紧随其后的是Wolfspeed，占据了16%的份额。在这几家厂商之后，依次是安森美（ON Semiconductor）、罗姆（ROHM）和三菱电机（Mitsubishi Electric）。这些厂商共同占据了全球80%以上的SiC市场份额。然而，随着国内SiC产业的迅速发展和国产SiC器件厂商的崛起，未来的市场格局可能会发生一定的变化。

从SiC器件的技术结构来看，主要有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型，沟槽栅能大大提升器件参数、可靠性及寿命，但是其更复杂，因此制造成本也更高。目前大多数SiC器件厂商都是采用平面型为主，不过也基本都在向沟槽型结构上探索，具体可以查看《中国SiC，挖坑了吗？》。国内厂商中也不乏有在沟槽型结构研究的厂商，如安海半导体在2022年初成功研发出第一代沟槽栅SiC MOS、芯科半导体已成功开发了沟槽型SiC MOSFET功率芯片。中车时代和芯粤能都已开始布局沟槽栅SiC MOSFET芯片产线。http://www.ic-bom.com/

国产SiC器件厂商通过持续的技术创新和产品优化，逐渐获得了市场的认可和好评。在量产上车方面，国内SiC器件厂商也已经开始崭露头角。有研究分析机构表示，2023年是国内SiC MOSFET打入汽车供应链的关键节点，2025年国产SiC MOSFET将迎来大规模上车之年。

2022年派恩杰实现供货3.6kk SiC MOSFET芯片，据悉，派恩杰的SiC MOSFET产品丝毫不逊色国外，具有业内领先的HDFM指标和较低的开关损耗，以及在高温运行下有较高的效率和较小的体积。http://www.ic-bom.com/

中电科55所SiCMOSFET也已经被包括一汽红旗等多家国内车企所采用，装车量达百万辆。今年4月17日，中电科55所与一汽联合研发的首款750VSiC功率芯片完成流片，据悉，该芯片技术达到国际先进水平。
国产SiC器件厂商在追赶和超越国际竞争对手的道路上取得了重要进展，但仍需要不断努力以确保其长期竞争力。SiC是一场持久战，对于国内SiC厂商而言，诸如ST和三安的这种中外合作无疑是一条“鲶鱼”般的存在。它一方面对产业而言发展具有很大的促进作用，合作将竞相推动技术创新和产业合作，也将进一步加快国内SiC产业的发展步伐。但国内一众SiC器件供应商面临的竞争也越发激烈，尤其是在8英寸领域的竞争，他们需要进一步提升自身的技术实力和产品质量，加大研发投入，不断创新，以抓住SiC热潮带来的机遇。http://www.ic-bom.com/