本次埃克塞德科技的高频快速充电桩采用的是纳微半导体的GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”的碳化硅 MOSFET技术，其兼具平面和沟槽的优势，具备高效、高速的性能。相比其他碳化硅产品，运行时的最高温度低25°C，寿命延长3倍之多。已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高、短路耐受时间延长30%、并且稳定的门极阈值电压便于并联控制。http://www.ic-bom.com/

去年8月，纳微半导体收购了GeneSiC Semiconductor，将原本的GaNFast氮化镓功率芯片产品线扩展，新增GeneSiC碳化硅产品线，SiC与GaN的共同驱动下，纳微半导体的营收也不断攀升。

根据其最新的季报显示，2023年第一季度，纳微半导体的净销售额增至1340万美元，较2022年一季度同比接近翻番，较2022年第四季度增长8%。且毛利率达到了41.1%。且纳微半导体对于全年的预期也十分乐观，预计第二季度净收入预计将继续增长至1600万美元至1700万美元之间，2023年全年收入仍预计较2022年实现全年翻番。

在汽车方面的布局中，纳微半导体主要在车载充电桩持续发力，目前已投产或开发中的车载、充电桩客户项目达25个，项目价值超3亿美元。其中包括有望于2024年发布，估值1500万至2000万美元的某头部车企车载充电机设计。http://www.ic-bom.com/

从市场来看，纳微旗下的碳化硅技术已为十几家充电桩服务商客户采用，过半数美国充电桩（包括Electrify America和EV go旗下充电桩）已采用纳微技术，并且，纳微半导体基于SiC技术的车载充电器已经进入车企供应链，目前国内的比亚迪和吉利也都采用了GeneSiC的方案，今年年初，纳微半导体还与吉利集团旗下威睿汽车开设联合电动汽车设计中心。http://www.ic-bom.com/