纳微半导体宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅 （SiC） 功率二极管，适用于要求苛刻的数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费类应用。http://www.ic-bom.com/

据称，这款额定电压为650 V 的Merged-PiN 肖特基 （MPS） 二极管集成了独特的 PiN-肖特基结构，可在所有负载条件下提供“低内置电压偏置”，以实现高效率和高稳定性。

“我们正在为人工智能和Chat GPT数据中心电源等需求旺盛的应用提供可靠、领先的性能，”纳微SiC执行副总裁Ranbir Singh指出，“高效、凉爽、可靠的运行可确保较长的使用寿命，给电源设计人员带来了安心，并优化其原型制作时间和上市时间。

GeneSiC MPS 设计结合了 PiN 和肖特基二极管结构的特点， 产生仅 1.3 V 的低正向压降 （VF） ， 高浪涌电流能力 （IFSM）， 和最小化与温度无关的开关损耗。据称，专有的薄芯片技术可以进一步降低VF并改善了散热，实现了更好的高温工作性能。该二极管首次采用扁平表面贴装QFN封装。

GExxMPS4x 系列 MPS 二极管的容量范围为4至24A，采用一系列表面贴装 （QFN、D2-PAK） 和通孔封装（TO-220、TO-247），涵盖 300 至 3000 W的应用以及各种电路，例如太阳能电池板升压转换器和游戏机中的连续电流模式功率因数校正 （PFC）。TO-247-3 封装采用“共阴极”配置，在交错式 PFC 拓扑结构中为高功率密度和降低材料成本提供了灵活性。http://www.ic-bom.com/