Der SiC MOSFET und der Gate-Treiber-IC der 4. Generation des weltbekannten Halbleiterherstellers Roma (mit Hauptsitz in Kyoto, Japan) wurden vom japanischen fortschrittlichen Autoteilehersteller Hitachi Astomo Co., Ltd. (im Folgenden als "Hitaku Astomo" bezeichnet) für seine reinen Elektrofahrzeuge (im Folgenden als "EV" bezeichnet) verwendet. Der Wechselrichter.

In den globalen Bemühungen, eine kohlenstofffreie Gesellschaft zu erreichen, hat sich der Elektrifizierungsprozess von Automobilen beschleunigt. Vor diesem Hintergrund ist die Entwicklung effizienterer, kleinerer und leichterer elektrischer Antriebssysteme der einzige Weg geworden. Insbesondere im Bereich der Elektrofahrzeuge, um die Reichweite zu erweitern und die Größe der Bordbatterie zu reduzieren, ist es zu einem wichtigen Thema geworden, um die Effizienz des Wechselrichters zu verbessern, der die treibende Kernrolle spielt, und die Industrie hat hohe Erwartungen an Siliziumkarbid-Leistungskomponenten.

Seit Roma 2010 die Führung in der Massenproduktion von SiC MOSFET übernommen hat, hat Rom bei der Entwicklung der SiC-Leistungskomponententechnologie immer eine fortschrittliche Position in der Branche beibehalten. Unter ihnen verbessert der neu eingeführte SiC-MOSFET der vierten Generation die Kurzschlusstoleranzzeit und erreicht eine extrem geringe Widerstandsfähigkeit in der Branche. Bei der Verwendung dieses Produkts im Autowechselrichter kann der Stromverbrauch im Vergleich zur Verwendung von IGBT (gemäß der internationalen Norm "WLTC-Kraftstoffverbrauchstest") um 6 % reduziert werden, was sehr hilfreich ist, um die Palette von Elektrofahrzeugen zu erweitern.

Hitachi Anstemo engagiert sich seit vielen Jahren für die Entwicklung fortschrittlicher Technologien im Zusammenhang mit Automobilmotoren und Wechselrichtern und hat eine große Anzahl von Produkten für das immer beliebter werdende Elektrofahrzeug mit einer stolzen Marktleistung in diesem Bereich bereitgestellt. Um die Leistung des Wechselrichters weiter zu verbessern, verwendete Hitachi Anstemo zum ersten Mal SiC-Leistungsgeräte in der Schaltung des Hauptantriebswechselrichters und plant, ab 2025 entsprechende Wechselrichterprodukte an globale Automobilhersteller, einschließlich japanische Automobilhersteller, zu liefern.

In Zukunft wird Rom als führendes Unternehmen für SiC-Leistungskomponenten die Produktpalette weiter ausbauen und die technischen Vorteile von Peripheriekomponenten wie Steuer-IC kombinieren, die die Leistung von Komponenten in größerem Maße stimulieren können, und weiterhin Energielösungen anbieten, die der automobilen technologischen Innovation förderlich sind.