Am 7.Juni gaben San‘an Optoelectronics und STMicroelectronics gemeinsam bekannt, dass sie eine Vereinbarung zur Gründung einer Fabrik in Chongqing zur Herstellung von 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern unterzeichnet haben.

Es ist davon auszugehen, dass das Joint-Venture-Projektunternehmen von San‘an Optoelectronics, vorläufig "San‘an STMicroelectronics (Chongqing) Co., Ltd." gehalten wird, von dem Hunan San‘an, eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von San‘an Optoelectronics, 51% Anteile hält und STMicroelectronics (China) Investment Co., Ltd. 49% Anteile hält. Die Gesamtinvestition des Projekts wird voraussichtlich 3,2 Milliarden US-Dollar erreichen. Es ist geplant, die Produktion im vierten Quartal von 2025 zu beginnen, und es wird erwartet, dass es vollständig in 2028 abgeschlossen wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die patentierte Siliziumkarbid-Fertigungstechnologie von STMicroelectronics verwendet, und nach Erreichen der Kapazität können 100008-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer pro Woche produziert werden. Die 8-Zoll-Siliziumkarbid-Substratfabrik, die ausschließlich von San‘an Optoelectronics in Chongqing gegründet wurde, plant, etwa 7-Milliarden Yuan zu investieren. Sie wird ihr eigenes Siliziumkarbid-Substratverfahren verwenden, um unabhängig den Substratbedarf der Joint Venture-Fabrik zu decken und eine langfristige Liefervereinbarung mit ihr zu unterzeichnen.

Lin Kechuang, General Manager von San‘an Optoelektronics, erklärte: "Die Gründung der Joint-Venture-Anlage wird dem chinesischen Siliziumkarbid-Markt neue Stärke verleihen. Beide Seiten werden ihre jeweiligen Vorteile voll ausschöpfen, die Produktionskapazitäten erweitern, die breite Anwendung von Siliziumkarbid-Geräten auf dem Markt energisch fördern und die schnelle Entwicklung der neuen Energie-Automobilindustrie fördern. Dies spiegelt auch wider, dass das Siliziumkarbid-Geschäft von San‘an Optoelectronics von internationalen Kunden voll anerkannt wurde, was ein wichtiger Schritt in Richtung des Ziels der internationalen Siliziumkarbid-professionellen Wafer-Gießerei ist. Einen Schritt. Mit der Gründung neuer Joint Venture-Fabriken und Einzelunternehmen-Substratfabriken sind wir zuversichtlich, dass wir auch weiterhin eine beherrschende Stellung auf dem Modellmarkt für Siliziumkarbid-Gießereien einnehmen werden."

Jean Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics, sagte: "Chinas Automobil- und Industriezweige bewegen sich auf Hochtouren in Richtung Elektrifizierung. Für STMicroelectronics wird der Aufbau einer speziellen Waferfabrik mit wichtigen lokalen Partnern uns dabei helfen, die wachsenden Bedürfnisse chinesischer Kunden effizient zu erfüllen. Die Kombination von Fertigungsanlagen wird chinesischen Kunden eine vollständig vertikale Wertschöpfungskette aus Siliziumkarbid bieten können. Dies ist auch ein wichtiger Schritt für uns, um unser globales Siliziumkarbid-Fertigungsgeschäft weiter auszubauen, zusätzlich zu unseren weiterhin bedeutenden Investitionen in Italien und Singapur.