Kürzlich gab STMicroelectronics auf seiner offiziellen Website bekannt, dass es ein 200mm Siliziumkarbid-Gerät Herstellung Joint Venture mit San‘an Optoelectronics in China gründen wird.http://www.ic-bom.com/

Es wird gezeigt, dass der Gesamtbetrag der Joint Venture-Fabrik voraussichtlich etwa 3,2 Milliarden US-Dollar (etwa 22,82 Milliarden RMB) erreichen wird und im vierten Quartal 2025 in Betrieb genommen werden soll und bis 2028 vollständig abgeschlossen sein wird.

Jean Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics, sagte, dass die Kombination des zukünftigen 200mm Substratherstellers von San‘an Optoelectronics mit dem Front-End Joint Venture und der bestehenden Back-End-Fabrik von STMicroelectronics in Shenzhen, China, STMicroelectronics ermöglichen wird, unseren chinesischen Kunden eine vollständig vertikale SiC-Wertschöpfungskette zu bieten.

Darüber hinaus erklärte Jean Marc Chery, dass das Joint Venture-Unternehmen voraussichtlich einer der Treiber für die Chance sein wird, dass SiC-Umsätze um 2030 über 5 Milliarden Dollar erreichen. Diese Maßnahme steht im Einklang mit dem Umsatzziel von über US$20 Milliarden und dem damit verbundenen Finanzmodell von STMicroelectronics in 2025-27, das zuvor an den Finanzmarkt gemeldet wurde.

Simon Lin, CEO von Sanan Optoelectronics, erklärte, dass die Gründung dieses Joint Venture-Unternehmens die wichtigste treibende Kraft für die breite Anwendung von Siliziumkarbid-Geräten auf dem chinesischen Markt werden wird. Und San‘an wird auch Siliziumkarbid-Substrate für dieses neue Joint Venture liefern, indem eine eigene neue Siliziumkarbid-Substratfabrik errichtet wird. Dies ist ein wichtiger Schritt von Sanan Optoelectronics in Richtung einer Siliziumkarbid-Gießerei. Mit diesem neuen Joint Venture und der Erweiterung der Produktionskapazitäten für SiC-Substrate ist Sanan Optoelectronics zuversichtlich, weiterhin eine führende Position auf dem SiC-Gießereimarkt zu behaupten.http://www.ic-bom.com/

Im Mai dieses Jahres erklärte Lin Zhidong, stellvertretender General Manager von San‘an Optoelektronics, dass die monatliche Produktionskapazität von Siliziumkarbid in Hunan San‘an auf 15000 Stück gestiegen sei.

Im 2022-Jahresbericht wies San‘an Optoelectronics darauf hin, dass "Hunan San‘an, als eine der wenigen vertikalen Fertigungsplattformen für die Siliziumkarbid-Industriekette in China, epitaktische Wachstumschip-Vorbereitungsverpackungen für die Herstellung von langen Kristallsubstraten umfasst. Die Produktionskapazität von Siliziumkarbid hat 12000 Stücke/Monat erreicht, und die Produktionskapazität von Silizium-basiertem Galliumnitrid beträgt 2000 Stücke/Monat. Die zweite Phase des Hunan San‘an-Projekts wird in 2023 abgeschlossen werden, und die unterstützende jährliche Produktionskapazität wird 36000 Stücke erreichen, nachdem die Produktionskapazität erreicht wurde.http://www.ic-bom.com/