Am 26.Mai gab Mitsubishi Electric auf seiner offiziellen Website bekannt, dass es eine Partnerschaft mit Coherent (ehemals II-VI) eingegangen ist, um gemeinsam die Produktionsskala von 8-Zoll SiC-Geräten zu erweitern. In Zukunft wird Coherent 8-Zoll-n-Typ 4H SiC-Substrate für SiC-Leistungsgeräte von Mitsubishi Electric in seiner neuen Fabrik liefern, um die Nachfrage nach SiC in neuen Energiefahrzeugen zu decken.http://www.ic-bom.com/

Mit der steigenden Nachfrage nach neuen Energiefahrzeugen ist die Investitions- und Expansionsenthusiasmus im aktuellen SiC-Markt beispiellos hoch. Einerseits hat Mitsubishi Electric eine tiefe Zusammenarbeit mit vor- und nachgelagerten Industrien betrieben. Bisher hatte Mitsubishi Electric eine tiefe Zusammenarbeit mit Coherent im 6-Zoll-Bereich. Dieses Mal erweitert es diese Zusammenarbeit auf 8-Zoll, um Marktchancen zu ergreifen.

Auf der anderen Seite beschleunigt Mitsubishi Electric den Ausbau der eigenen Produktionskapazitäten. Anfang des Jahres gab es bekannt, 100 Milliarden Yen in den Ausbau einer neuen Fabrik im bestehenden Fabrikgebiet Kikuchi City, Präfektur Kumamoto, zu investieren. Das Werk wird eine 8-Zoll SiC-Wafer-Produktionslinie einführen und voraussichtlich im April 2026 mit der Produktion beginnen. Darüber hinaus wird Mitsubishi Electric die Produktionskapazität seiner 6-Zoll-SiC-Fabrik in Hezhi City, Präfektur Kumamoto, erweitern. Laut japanischen Medienberichten soll Mitsubishi Electric seine Produktionskapazität auf das Fünffache von 2022 bis 2026 ausweiten. Während des Fünfjahreszeitraums von 2021 bis 2025 wird die Gesamtinvestition in Energiegeräteausrüstung 260 Milliarden Yen erreichen.

Ähnlich wie Mitsubishi Electric kündigte Coherent zuvor eine Investition von 100 Millionen Dollar in die SiC-Produktionserweiterung an, wodurch das Investitionslayout in die Herstellung von 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Substraten und epitaxialen Wafern beschleunigt wird. Mittel- bis langfristig plant Coherent, die Produktion von SiC-Substraten um das Sechsfache zu erhöhen, mit einer jährlichen Produktion von 1-Millionen Stücken (entspricht 6-Zoll) um 2027.http://www.ic-bom.com/

Nach der Analyse und Statistik des Compound Semiconductor Research Office unter TrendForce Consulting wird es mit der Klärung von Kooperationsprojekten zwischen großen Herstellern und der Automobil- und Energieindustrie den gesamten SiC-Stromkomponentenmarkt auf 2,28 Milliarden US-Dollar in 2023 treiben, mit einem jährlichen Wachstum von 41,4%. Darüber hinaus erwartet TrendForce Consulting, dass der SiC-Stromkomponentenmarkt um 2026 $5,33 Milliarden erreichen wird.

In Bezug auf Infineon unterzeichnete das Unternehmen im Januar dieses Jahres eine Liefervereinbarung mit Resonac (ehemals Showa Electric), die Siliziumkarbid-Materialien an Infineon liefern wird. Obwohl die beiden Unternehmen die Menge oder Menge der Materialien, die an dieser Vereinbarung beteiligt sind, nicht offenlegten, erklärte Resonac, dass die Siliziumkarbid-Halbleiter, die aus den von Infineon gelieferten Materialien hergestellt werden, den zweistelligen Anteil von Infineon an der Nachfrage für das nächste Jahrzehnt ausmachen.

Darüber hinaus hat Infineon langfristige Lieferverträge mit zwei chinesischen Unternehmen, Tianke Heda und Shandong Tianyue, unterzeichnet. Nach den Vereinbarungen werden Tianke Heda und Tianyue Advanced Infineon 6-Zoll (150mm) Siliziumkarbid-Wafer und -Ingots für die Herstellung von SiC-Halbleitern liefern. Das Angebot beider Unternehmen wird einen zweistelligen Anteil an der künftigen langfristigen Nachfrage von Infineon ausmachen. In Zukunft werden Siliziumkarbid-Materialien mit 200mm Durchmesser bereitgestellt, um Infineon beim Übergang zu Wafern mit 200mm Durchmesser zu unterstützen.http://www.ic-bom.com/